Redmi Note 9 4G评测：内置6000mAh“充电宝”

对比来看,就Geekbench 5所反映的CPU表现来看,骁龙662的单核心与联发科Helio G80尚存在一定差距,相当于天玑720的61%;多核心则与Helio G80相近,相当于天玑720的80%。

GFXbench测试 入门级表现

Redmi Note 9系列三款机型都首发标配了新一代UFS 2．2高速闪存,但是在读写性能测试中,Note 9 Pro、Note 9基本表现一致,Note 9 4G在持续读写和随即读写中,表现都明显落后,差距接近50%。

很明显,如无意外,Redmi Note 9 4G所搭载的应该为单通道UFS 2．2闪存。