7月13日消息，据台媒DigiTimes报道，三星3nm制程工艺的指标曝光，其晶体管密度可达1．7亿颗／平方毫米，而英特尔7nm工艺可达1．8亿颗／平方毫米，三星3nm工艺的这一指标连英特尔的7nm都不如。
10nm及更先进的制程工艺，全球只有英特尔、三星和台积电进行了量产。Digitimes专门做了一张图来对比三家的技术演进。
10nm工艺方面，台积电的晶体管数量与三星差距很小，而英特尔是另外两家的两倍，达到了每平方毫米1．06亿颗晶体管。7nm工艺上，英特尔的7nm还未实现量产，其规划的晶体管数量1．8亿颗／平方毫米，而其他两家的数量为0．96亿颗／平方毫米左右。
而到了5nm工艺制程上，台积电跃升到了1．73亿颗／平方毫米，大幅超过三星。单从晶体管密度这一指标来说，英特尔的7nm工艺，台积电的5nm工艺，三星的3nm工艺几乎在一个水准上。三星的制程工艺虽然和台积电差不多，但晶体管数量上着实差距很大。
三星的晶圆制造技术也不是很成熟，其给高通代工的骁龙888 SoC就出现了功耗不及预期的表现，其自家的Exynos系列SoC，也常出现功耗过大的情况。
在晶圆代工业务上，三星不仅要和台积电抢订单，还得面临英特尔的竞争。英特尔今年发布了IDM 2．0战略，宣布将更多为其他企业进行代工，其将在7月26号举行Intel Accelerated直播活动，将会公布英特尔制程技术与封装产品组合发展路线图等，其入局晶圆代工之后，或会造就一个新的代工格局。
三星和英特尔有个共同点，就是都拥有自己的芯片产品，苹果、AMD、英伟达等巨头企业，多多少少都和这两家有竞争关系，不会太放心把芯片交给这两家进行代工。而且，台积电在技术、工艺上都更较为先进，小雷还是更看好其在这一领域的发展。
来源：雷科技
