日前媒体报道指出武汉的存储芯片企业已开发出新一代存储芯片技术，再度追平了美国和韩国芯片的技术水平，并且是以国产芯片设备生产的，这代表着中国芯片产业链取得了重大的突破。
早前武汉这家存储芯片企业发布的产品TiPlus7100 SSD 中，发现了xtacking 4.0工艺的颗粒，这意味着它已开发出新一代的xtacking技术，上一代的xtacking3.0技术发布于2022年。
2022年这家存储芯片企业推出了xtacking3.0技术，达到232层，为全球率先量产如此高技术水平的芯片，而美国和韩国的存储芯片还在努力突破200层，中国存储芯片的突破让海外震惊。
这家芯片企业从零起家，2016年开始投产NAND flash存储芯片，为了掌握存储芯片的底层技术，先是从32层做起，随后再突破到64层，但是仍然没有大规模生产，直到2020年量产128层NAND flash存储芯片，追平韩国和美国存储芯片，才开始大规模量产。
在技术上取得突破后，武汉这家存储芯片企业筹建二期工程，同时也在加快芯片技术研发，2022年在全球率先量产232层NAND flash，二期工程也开始量产，二期工程的产能为一期工程的两倍，中国存储芯片开始给全球存储芯片市场带来巨大影响。
中国的存储芯片在技术和产能方面都得到提升后，从2022年下半年以来，全球存储芯片价格急跌，一度腰斩，而韩国的存储芯片企业更是出现库存高企的现象，因为中国是韩国存储芯片出口的主要市场，估计韩国的存储芯片有近五成出口到中国市场，而中国制造开始以国产存储芯片替代韩国芯片，导致韩国的存储芯片难以销售。
面对中国存储芯片的崛起，影响了美系芯片的利益，美国开始阻挠日本、荷兰等国家的先进芯片材料和设备出口给武汉这家存储芯片企业，甚至连已卖给这家芯片企业的设备也不许维修，以至于这家企业的高管愤怒地说世界没有哪个企业不对售出的设备提供售后服务的，这也导致它的芯片技术停留在232层，而韩国和美国的存储芯片企业已在去年突破到300层以上。
面对美国的野蛮行径，武汉这家存储芯片企业开始加快以国产芯片设备替代进口设备。与手机芯片等所采用的工艺不一样，手机芯片已开始用3纳米工艺，而存储芯片为了确保耐用性目前最先进的工艺也在10纳米以上，国产的存储芯片就采用了19纳米工艺，国产的芯片设备已可以实现部分替代，中微、北方华创等国产芯片设备企业的设备可以满足要求。
如今它终于实现300层以上的技术，再次追平韩国和美国的存储芯片，代表着国产芯片设备已取得了效果，芯片技术研发不再受海外芯片设备的制约，这是中国芯片产业界一直期待的技术突破，这也将鼓舞国内的芯片产业链加强合作，摆脱对海外芯片设备的依赖有了希望。
随着国产存储芯片的技术和产能再度提升，中国也将再次减少存储芯片的进口，此前两年时间存储芯片价格大涨让韩国和美国存储芯片赚得盆满钵满的局面将再次改变，去年以来存储芯片的价格暴涨超过四成，三星就在今年二季度取得了净利润暴涨14倍的业绩，三星的利润增长主要就来自于存储芯片，而中国进口存储芯片因此多付了400多亿美元，中国有了自己的存储芯片可以替代，可以获得更多议价权，降低中国制造的成本。
原文标题 : 国产芯片设备替代进口设备，技术再突破，中国芯再度赶上美国
